Samsung lanceert snelste flashopslag ooit: 512 GB eUFS 3.0

Samsung is begonnen met de massaproductie van wat naar eigen zeggen de snelste flashopslag ooit is. Het gaat om de 512 GB eUFS 3.0-chips, die twintig keer sneller moeten zijn dan een typische microSD-kaart. Dat meldt ZDNet.

De chip wordt de eerste 512 GB eUFS 3.0-chip voor mobiele apparaten, die twee keer zo snel is als eUFS 2.1. De 512 GB eUFS opslag-chips werden in 2017 door Samsung onthuld. Het grootste verschil tussen de oude en nieuwe variant is een verbetering van de snelheid. De nieuwe variant heeft een leessnelheid van 2.100 MB per seconde, het dubbele van de eUFS 2.1. De schrijfsnelheid komt uit op 410 MB per seconde.

De chips moeten een full HD-film in slechts een paar seconden kunnen verplaatsen van een computer naar een smartphone. Daarnaast zegt het bedrijf te denken dat de chips gaan helpen bij smartphones met schermen met een hoge resolutie. De 512 GB en 128 GB eUFS 3.0-chips worden later deze maand gelanceerd. In de tweede helft van dit jaar komt er ook een optie met 1 TB aan opslag, en verschijnt er een 256 GB-model.

Opbouw

De nieuwe 512 GB eUFS 3.0 is gemaakt van acht stacks van 512-gigabit V-NAND en een controller. Het biedt willekeurige lees- en schrijfsnelheden die 36 procent sneller zijn dan de eUFS 2.1-specificatie en 630 keer sneller dan de algemene microSD-kaarten.

“Het beginnen van de massaproductie van onze eUFS 3.0-lineup geeft ons een groot voordeel in de next-generation mobiele markt, waar we een leessnelheid voor geheugen naartoe brengen die eerder alleen mogelijk was op ultradunne laptops”, aldus Cheol Choi, executive vice president van memory sales and marketing bij Samsung.

“Nu we onze eUFS 3.0-aanbiedingen uitbreiden – inclusief een 1TB-versie later dit jaar – verwachten we dat we een grote rol gaan spelen in het versnellen van momentum binnen de premium mobiele markt.”