Samsung produceert SSD’s met honderd-laagse V-NAND-geheugenchip

Samsung is begonnen met de massaproductie van nieuwe 250 GB SSD’s die beschikken over V-NAND met honderd lagen. Het is voor het eerst in de industrie dat een dergelijke V-NAND-geheugenchip gemaakt wordt, aldus het bedrijf. De afgelopen jaren zijn het aantal layers (lagen) keer op keer opgeschroefd om meer capaciteit in een enkele chip te krijgen. 

De nieuwe 256Gb 3-bit V-NAND wordt gebruikt om SSD’s te produceren voor enterprise-PC’s, schrijft ZDNet. De nieuwe SSD’s worden dan ook geleverd aan een wereldwijde fabrikant van computers, al heeft Samsung niet gezegd wie die fabrikant is.

Betere prestaties

Samsung heeft een unieke ‘channel hole etching’-technologie ontwikkeld. Hiermee kunnen er ongeveer 40 procent meer cellen worden toegevoegd dan bij de vorige 9x-layer single-stack-structuur. Ook wist de Zuid-Koreaanse techgigant een snelheidsgeoptimaliseerd circuit toe te voegen, waarmee het snellere lees- en schrijfsnelheden kon bereiken.

Het gaat om een schrijfsnelheid van 450 microseconden en een leessnelheid van 45 microseconden. Dat komt neer op een prestatieverbetering van 10 procent in vergelijking met de oudere V-NAND’s met negentig lagen. Het energieverbruik is met 15 procent gedaald.

Ook de productiestappen en chip-groottes zijn afgenomen. Daardoor moet de productiesnelheid met 20 procent verhoogd worden.

Inzet van V-NAND

Naast de introductie van de nieuwe 250 GB SSD, is Samsung ook van plan om in de tweede helft van dit jaar 512 3-bit V-NAND SSD en eUFS aan te bieden. Daarnaast moet de productie van de zesde generatie V-NAND-oplossingen vanaf volgend jaar worden uitgebreid. Deze productie vindt plaats op de Pyeongtaek-campus in Zuid-Korea. Met de verhoogde productie wil het bedrijf beter de toegenomen wereldwijde vraag naar chipssets van zijn klanten kunnen beantwoorden.

De techgigant is verder van plan om de nieuwe V-NAND’s later in te zetten voor mobiele en automotive-applicaties, om zijn leiderschapspositie verder te verstevigen.

Snelste flashopslag

Samsung zei eerder dit jaar nog begonnen te zijn met de massaproductie van de “snelste flashopslag ooit”. Dat is de 512 GB eUFS 3.0, die twintig keer sneller moet zijn dan een typische microSD-kaart.

De chip komt met een hogere leessnelheid van 2.100 MB per seconde en een schrijfsnelheid van 410 MB per seconde. De chips zijn gemaakt van acht stacks van 512-gigabit V-NAND en een controller.