Intel geeft zijn halfgeleiderfabriek in de Amerikaanse staat Arizona een opfrisbeurt van 2 miljard dollar. Fab 12, zoals de vestiging in de stad Chandler in bedrijfsjargon heet, zal overstappen op wafers (siliciumschijven) met een diameter van 300 millimeter, vergeleken met het huidige formaat van 200 millimeter. Een tweede technische verbetering is de omschakeling op een productieproces waarbij de kleinste elementen van een chip een afmeting hebben van 65 nanometer. Tot dusver maakt Intel gebruik van een 130nanometer-procédé.
Door de renovatie van de fabriek in Arizona verdubbelt de productiecapaciteit ruimschoots – op een wafer van 300 mm passen 2,4 keer zoveel chips – terwijl de fabricagekosten omlaag gaan. Verder neemt het energie- en waterverbruik dankzij de grotere wafers volgens Intel met 40 procent af. Het opwaarderen van een bestaande vestiging is goedkoper dan het bouwen van een compleet nieuwe ‘fab’, aldus Intel. De werkzaamheden beginnen volgend jaar en zullen eind 2005 zijn afgerond. Na voltooiing kan Intel beschikken over vijf productielocaties voor 300 mm-wafers. Twee andere fabrieken, in Oregon en New Mexico, werken al met de grotere siliciumschijven. Afgezien van tijdelijke werkgelegenheid voor enkele honderden bouwvakkers levert de renovatie in Arizona geen extra banen op.
2 uur geleden
