1 min

Tags in dit artikel

, , ,

Onderzoekers van IBM zijn dankzij een nieuw productieproces van transistors in staat snellere chips te maken, die bovendien minder stroom gebruiken. Het gaat om de combinatie van getrokken silicium (‘strained silicon’) en ‘Silicon on Insulator’ (SOI, op een niet-geleidende onderlaag). Door de kristalachtige structuur van silicium uit te rekken ontstaat het ‘getrokken’ silicium, wat de mobiliteit van elektronen verbetert.

Het verlies van energie door lekkage wordt met een eerdere vinding van IBM, de silicium-isolatielaag, beperkt. De combinatie van beide technieken levert een 20 tot 30 procent snellere CMOS-chip op.