Samsung heeft bekendgemaakt dat het is gestart met de massaproductie van flashgeheugen met een opslagcapaciteit van 256GB. Het gaat om zogenaamde Universal Flash Storage (UFS) 2.0-geheugen welke expliciet bedoeld is voor high-end mobiele apparaten. De prestaties van deze geheugenchips liggen hoger dan die van een SATA-gebaseerde SSD voor pc’s.

Door gebruik te maken van high-density UFS-geheugen kan Samsung prestaties halen die bijna twee keer zo goed zijn als een SATA SSD voor pc’s. Samsung verbetert zijn geheugenchips als eerste voor de mobiele markt, maar later dit jaar zullen deze nieuwe technologieën ook worden toegepast in de pc-markt en zullen de SATA SSD’s ook weer een flinke prestatieverbetering gaan krijgen.

Het nieuwe Samsung UFS-geheugen is gebaseerd op Samsung’s eigen V-NAND flashgeheugentechnologie en de daarvoor speciaal ontwikkelde en ontworpen controller. Dit levert een chip op die 45.000 en 40.000 IOPS kan halen in input/output acties per seconde. Wat het geheugen twee keer zo snel zal maken als de vorige generatie.

De geheugenchip van 256GB zal straks twee banen gebruiken voor dataoverdracht, waarbij een leessnelheid van 850MB/s gehaald kan worden. Qua schrijfsnelheid zal het geheugen zo’n 260MB/s halen, wat drie keer zo snel is als externe micro-SD-kaartjes vandaag de dag.

Het geheugen van smartphones gaat naar verwachting de komende jaren nog fors groeien, steeds meer smartphones beschikken over de mogelijkheid om 4K-video’s op te nemen, VR-content die in 360 graden is opgenomen is nog veel groter en ook die content zal de komende jaren zijn opkomst maken.