Samsung is begonnen met de massaproductie van nieuw DRAM-geheugen. Het nieuwe DDR4-geheugen wordt geproduceerd op een 10 nanometer classe, dat betekent dat het productieproces ergens tussen de 10 en de 19nm ligt. Samsung zelf maakte de exacte grootte niet bekend, maar bronnen meldden dat het om 18nm gaat.

Samsung zou de eerste geheugenfabrikant zijn die in staat is om DDR4-geheugen in de 10 nanometer classe te leveren. Veel andere fabrikanten zoals Micron en SK Hynix zijn er wel al druk mee bezig maar zijn nog niet begonnen aan de massaproductie. Samsung zou inmiddels al sinds februari het DRAM-geheugen in massaproductie hebben, toch maakt het dat nu pas bekend. De eerste partners van het bedrijf zouden al modules hebben ontvangen om deze te verwerken in hun producten.

Met de komst van dit nieuwe DRAM-geheugen kan de maximale snelheid verder omhoog naar 3200 megabits per seconde. Vooral in de enterprisemarkt is er veel vraag naar nog sneller DRAM-geheugen en daar focust Samsung zich dan ook als eerste op.

Samsung heeft gebruik gemaakt van de "Quadruple Patterning Technique", een technologie die het eerst heeft toegepast bij de productie van NAND-flashgeheugen en nu dus ook bij DRAM. Volgens Samsung is het DDR4-geheugen in de 10nm-classe zo’n 30 procent sneller en 20 procent energiezuiniger dan DDR4-geheugen op de 20nm-classe.

Samsung produceert het DRAM-geheugen op dit moment alleen voor pc’s en servers, maar later dit jaar moet er ook DRAM voor smartphones volgen die het bedrijf in zijn nieuwe smartphones wil gaan gebruiken. Waarschijnlijk zal het Samsung-vlaggenschip dat dit najaar wordt gepresenteerd voorzien zijn van mobiel DRAM-geheugen uit de 10nm-classe.