Samsung heeft tijdens de Future of Memory and Storage (FMS) 2026 een reeks nieuwe geheugentechnologieën voor AI gepresenteerd. Naast een prototype van V10 BV-NAND met meer dan 400 lagen liet het bedrijf ook concepten zien voor nieuwe 3D-geheugenarchitecturen, waaronder zHBM en zNAND-O. De introductie komt op een moment dat Samsung zijn positie op de AI-geheugenmarkt verder wil versterken.
De aankondigingen laten zien dat chipfabrikanten hun aandacht niet langer uitsluitend richten op snellere AI-processors. Ook de manier waarop geheugen en opslag zijn georganiseerd, wordt steeds belangrijker nu AI-systemen grotere datasets verwerken en inference-workloads een steeds groter deel van de belasting vormen.
Eerste NAND met wafer bonding
De meest concrete introductie is V10 BV-NAND. Deze NAND-generatie maakt gebruik van wafer bonding, waarbij geheugencellen en randlogica eerst afzonderlijk worden geproduceerd en vervolgens aan elkaar worden verbonden. Volgens Samsung is dit de eerste keer dat deze productiemethode wordt toegepast in NAND-flash.
Het prototype bestaat uit meer dan 400 lagen. De opslagdichtheid ligt volgens Samsung ongeveer 58 procent hoger dan bij de huidige V9-generatie. Ook de lees-, schrijf- en I/O-prestaties zijn verbeterd.
Alternatief voor bestaande HBM-opbouw
Daarnaast presenteerde Samsung een concept voor zHBM. Bij huidige HBM-oplossingen bevinden de geheugenstacks zich naast de AI-processor. In het nieuwe ontwerp wordt het geheugen juist boven de AI-accelerator geplaatst, waardoor de afstand die data moet afleggen kleiner wordt.
Volgens Samsung kan een toekomstige implementatie hierdoor ongeveer acht keer de prestaties van HBM5 leveren. Dankzij de nieuwe bondingtechnologie zou bovendien een meer dan tien keer hogere geheugendichtheid mogelijk zijn, terwijl zowel het energieverbruik als de warmteontwikkeling afneemt. Het gaat nadrukkelijk om een onderzoeksconcept; een introductiedatum werd niet genoemd.
Ook zNAND-O bevindt zich nog in de conceptfase. Deze op V-NAND gebaseerde architectuur richt zich op AI-toepassingen waarbij lage latency en hoge I/O-prestaties belangrijk zijn. Denk aan edge AI en realtime dataverwerking.
Tijdens FMS liet Samsung ook zijn bestaande AI-geheugenportfolio zien, waaronder HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM en enterprise-SSD’s. Daarnaast toonde het bedrijf nieuwe opslagproducten voor AI-datacenters.
De aankondigingen sluiten aan bij een bredere ontwikkeling in de AI-markt. Waar de vraag naar AI-geheugen aanvankelijk vooral werd gedreven door het trainen van grote taalmodellen, groeit inmiddels ook de behoefte aan snelle opslag voor inference, legt Reuters uit. Het gaat dan over het genereren van antwoorden tijdens het gebruik van AI-toepassingen. Daardoor neemt de vraag toe naar geheugen met een hogere capaciteit, grotere bandbreedte en een lager energieverbruik. Daarmee verschuift de innovatie niet alleen naar snellere AI-processors, maar ook naar de onderliggende geheugenarchitectuur.