Samsung koerst af op de lancering van een nieuwe generatie V-NAND-geheugen in 2024. De nieuwste innovatie van het Zuid-Koreaanse bedrijf zou begin volgend jaar in massaproductie gaan.
Zelf spreekt Samsung over 3D NAND, omdat de geheugenchips gebruikmaken van een “dubbellaagse structuur”, aldus President en Head of Memory Business bij Samsung Electronics Jung-Bae Lee. AI-toepassingen van hyperscalers krijgen steeds meer tractie, stelt hij. Lee meent dat er een paradigmaverschuiving zal plaatsvinden waarbij geheugen samen met de CPU en GPU data zal verwerken.
Meer en sneller
Fundamenteel gaat nog steeds op dat Samsung vooral zo snel en zo compact mogelijke geheugenchips hoopt te produceren. De dichtheid van zowel DRAM als NAND-flash moet naar “extreme niveau’s” opgehoogd worden, beweert de Samsung-topman. Ook wat DRAM-chips betreft leunt Samsung sterk op de AI-hype om deze aan te prijzen.
Eerder bleek al dat Samsung bezig was met een nieuwe generatie V-NAND-geheugen met meer dan 300 lagen, dat klaarblijkelijk voorbij de 321 lagen van SK Hynix zal gaan. Dit betekent dat Samsung meer opslagcapaciteit op toekomstige NAND-flash-devices kan plaatsen. Daarnaast verwacht het bedrijf dat er eveneens prestatieverbeteringen in het verschiet liggen.
Positionering
Het laat zich raden dat Samsung zichzelf graag positioneert als grote speler rondom AI-ontwikkelingen. Hoewel de eigen opslagtechnologie 40 procent van de HBM-markt in handen heeft, moet het daar concurrent SK Hynix voor zich dulden. Eveneens is dat de hofleverancier van Nvidia, de producent van GPU’s waarmee de huidige acceleratie van generatieve AI-oplossingen op plaatsvindt. Samsung strijdt al jaren met partijen als SK Hynix en Micron om geheugenchips voor Nvidia-videokaarten te maken. Dat deed het onder meer met GPU’s die Nvidia in 2020 voor consumenten maakte en de workstation-gerichte Quadro in 2018.
16 uur geleden
Expert bijdrage
