Micron en Intel hebben een nieuwe architectuur voor NAND flash-geheugen ontwikkeld die naar eigen zeggen tot vijf keer beter zal presteren dan de huidige technologie. De bedrijven claimen dat de nieuwe architectuur leessnelheden van 200 MB/sec biedt en schrijfsnelheden van 100 MB/sec.
Massaproductie zal in de tweede helft van 2008 gaan beginnen. De nieuwe NAND-architectuur zal in vele apparaten geïntegreerd worden: van mobiele telefoons tot solid state schijven.
Volgens Bill Lauer, senior director marketing bij de geheugendivisie van Micron, is het essentieel om overdrachtsnelheden en andere aspecten van NAND te verbeteren, omdat meer en meer consumentenelektronica gebruik maakt van flash-opslag.
"Met de nieuwe mogelijkheden zullen de prestatieverbeteringen zichtbaar zijn voor de gebruiker. Men kan vlugger digitale content verzenden tussen apparaten zoals computers, digitale camera’s, mp3-spelers en mobiele telefoons."
15 uur geleden
