Hardwarefabrikant Hynix heeft een nieuw DRAM geheugen ontwikkeld dat momenteel het snelste in zijn soort is. Het geheugen werkt op 800MHz en is geproduceerd op een 65nm proces.
Hynix heeft voor het nieuwe geheugen een 3D transistor architectuur gebruikt en een proces waarbij er drie lagen metaal op elkaar gebracht worden, waardoor de snelheid omhoog gaat en het energieverbruik omlaag. Hynix garandeert overigens dat de elektrische signalen in het geheugen stabiel blijven, ook al zitten de componenten dichter op elkaar.
In de eerste helft van 2007 zal Hynix met 1GB and 2GB DDR2 unbuffered (U) modules komen. Het bedrijf zegt in de toekomst ook met 4GB modules en hoger te kunnen komen in registered (R) en fully buffered (FB) formaten. Verwacht wordt dat er veel vraag naar dergelijke modules komt, als Windows Vista zijn weg zal vinden naar meer computers.
11 uur geleden
Expert bijdrage
