2min

Tags in dit artikel

, , , , ,

Samsung heeft recentelijk aangegeven dat zij in een vergevorderd stadium is met het ontwikkelen van 4 gigabit flash-geheugenchips. Dit komt neer op ongeveer 512 megabyte bruikbare ruimte per chip, een record binnen de GSM branche.

De chip is gebakken op een 90 nm procedé en meet slechts 11 x 13 x 1.4 milimeter en is daarmee uitermate geschikt om te worden verwerkt in kleine, mobiele consumentenapparaten; zoals een GSM. Samsung heeft tijdens de ontwikkeling van de chips het stroomverbruik van 3.3 volt terug gedrongen naar slechts 1.8 volt, wat de stand-bytijd ten goede komt.

Oudere typen chips zijn daarnaast gebaseerd op de oudere NOR-flash standaard, welke een aantal beperkingen had. Deze beperkingen zijn met de nieuwe chips overkomen, door gebruik te maken van de "oneNAND" standaard. NOR chips hebben de eigenschap om data snel te kunnen lezen, maar het schrijven geschiedt op een relatief lage snelheid. Daardoor is deze standaard zeer geschikt voor het dragen van kleine operating-systemen voor mobiele telefoons, welke alleen bij het activeren een forse leessnelheid vergen om snel op te starten. Aangezien GSM’s en aanverwante apparaten steeds vaker in een enkel hybride apparaat verwerkt worden, klinkt ook steeds vaker de vraag naar geheugen dat ook de mogelijkheid biedt om snel data te kunnen schrijven. De NAND standaard werd tot voorkort alleen gebruikt binnen mobiele data opslag (compact flash) en bied een bandbreedte van ongeveer 10 Megabyte per seconde. Dit is met een factor 10 hoger dan NOR en is daardoor uitermate geschikt voor deze toepassing.

De massaproductie van de nieuwe chips zal volgens Samsung beginnen in juli.