2min

Tags in dit artikel

, , , ,

Samsung is begonnen met de massaproductie van de vijfde generatie V-NAND memory chip. De 256-gigabit (Gb) V-NAND realiseert een dataoverdrachtssnelheid van 1,4 Gbps, vanwege de aanwezige Toggle DDR 4.0 interface. Waar er bij de vierde generatie gestapeld flashgeheugen nog 64 lagen waren, realiseert Samsung dit keer 96 lagen. Zelf spreekt het bedrijf overigens over ‘meer dan 90 lagen’.

Daardoor moet de nieuwe V-NAND op meerdere vlakken een verbetering zijn ten opzichte van de voorganger. Zo wordt er een dataschrijfsnelheid van 500 microseconden gehaald, volgens Samsung iets wat momenteel niet geëvenaard wordt. Het resulteert in een snelheidsverbetering van 30 procent ten opzichte van de voorganger. De responstijd op leessignalen komt uit op 50 microseconden, terwijl volt van 1,8 naar 1,2 gaat.

Intern

In de V-NAND vinden we meer dan 90 lagen ‘3D charge trap flash (CTF) cellen’, die gestapeld zijn in een piramidestructuur. Daarbij zijn microscopische channel holes als het ware verticaal geboord. Deze gaten zijn slechts enkele honderden nanometers breed en beschikken over meer dan 85 miljard CTF-cellen die ieder drie bits data kunnen opslaan.

Door de gebruikte methode is de hoogte van iedere cel-laag gereduceerd met 20 procent. Bovendien moet ongewenste overdracht tussen de cellen voorkomen worden. Uiteindelijk blijft de efficiëntie van de dataverwerking binnen de chip één van de belangrijkste onderdelen.

Belangrijk onderdeel

Samsung zal de productie van de vijfde generatie V-NAND flink opschroeven. Het bedrijf haalt immers veel omzet uit de memory-markt. De toepassing van de memory-oplossingen zit hem bijvoorbeeld in supercomputing, enterprise servers en premium smartphones.

De claim van Samsung dat het de snelste dataschrijfsnelheid haalt, kan overigens best wel eens kloppen. Het Koreaanse bedrijf komt namelijk als eerste partij met V-NAND met meer dan 90 lagen. Daarmee is het concurrenten als Toshiba, Micron en SK Hynix voor. Zij bieden hooguit 72 lagen V-NAND.