2min

Tags in dit artikel

, ,

Samsung is begonnen met de productie van nieuwe DDR5 DRAM-geheugenchips. De snelheid van het geheugen moet vooral handig zijn voor 5G- en AI-workloads, zo geeft de fabrikant aan.

De Zuid-Koreaanse techgigant heeft zijn nieuwste DDR5 DRAM-geheugenchips gebaseerd op 14 nanometer-technologie en levert daarmee naar eigen zeggen het kleinste DD5 DRAM-geheugen ter wereld. In het fabricageproces wordt daarnaast de laatste ontwikkelingen op het gebied ultraviolet (EUV)-technologie gebruikt. Hierdoor wordt voor de geheugenchips vijf lagen gebruikt. Vorig jaar introduceerde Samsung nog het eerste DDR5 RAM-geheugen met één EUV-laag.

EUV-technologie

EUV-technologie geeft de geheugenchips een betere ‘pattering’-accuratesse en daarmee betere prestaties. Met de vijf EUV-lagen heeft Samsung de algemene productiviteit op een wafer met 20 procent verbeterd. Ook zorgt de gebruikte EUV-technologie ervoor dat de geheugenchips op het 14nm-formaat konden worden ontwikkeld. Iets dat niet mogelijk is met het meer conventionele argon fluoride (ArF) proces voor de fabricage van DRAM-geheugen.

Door de geheugenchips in een 14nm-formaat aan te bieden kan ook de energieconsumptie met bijna 20 procent worden teruggebracht in vergelijking met de vorige generatie DRAM-geheugen.

Voor 5G- en AI-workloads

De 14nm DDR5 DRAM-geheugenchips leveren betere prestaties en capaciteit op. Hierdoor zijn de geheugenchips zeer aantrekkelijk voor moderne 5G- en AI-workloads. De DDR5 DRAM-chips hebben snelheden tot 7.2 Gbps, twee keer de snelheid dan die van DDR4 DRAM-geheugen met snelheden tot 3.2Gbps.

Samsung gaat zijn DDR5 DRAM-geheugen verder uitbreiden met onder meer datacenter- en supercomputer-toepassingen en voor gebruik in combinatie met zakelijke op servers gebaseerde applicaties. De Zuid-Koreaanse techgigant verwacht dat de dichtheid van zijn 14nm DDR5 DRAM-chips zal doorgroeien naar 24Gb en dus nog meer kan betekenen voor toekomstige IT-systemen.