Toshiba en Sandisk vinden aansluiting bij Samsung met 3D-flashgeheugen

Abonneer je gratis op Techzine!

Toshiba en Sandisk hebben een joint venture voor de ontwikkeling van flashgeheugen en daarmee hebben ze een nieuwe mijlpaal bereikt. De bedrijven zijn erin geslaagd om 3D-nandflash te ontwikkelen, waarbij ze 48 laags 3D-nand genaamd Bics hebben opgeschaald van 128Gbit naar 256Gbit.

Toshiba kan door het geheugen te stapelen nu de capaciteit van de SSD’s verder opschroeven zonder dat de kosten daarbij extreem stijgen. In het nieuwe geheugen kunnen 3bits per cell worden opgeslagen terwijl de bedrijven eerder geheugen ontwikkelde met 2 bits per cell.

Ondanks dat Toshiba en Sandisk een flinke stap voorwaarts maken vinden ze nu pas aansluiting bij het Zuid-Koreaanse Samsung. Dat bedrijf introduceerde vorig jaar al 3D-nand en heeft 32-laags 128-Gbit-tlc en mlc-modules. Daarnaast staat de chipontwikkeling bij Samsung ook niet stil en zal het bedrijf als de concurrentie dichterbij komt de volgende stap gaan zetten.

Later dit jaar zullen Intel en Micron de eerste 3D-nandmodules introduceren met 256Gbit-mlc en 384Gbit-tlc. Ook SK Hynix wil nog 36-laags nand mlc-geheugen introduceren met een capaciteit van 128Gbit.

Toshiba en Sandisk verwacht dit najaar de eerste modules te kunnen leveren, maar de echte productie komt pas op gang als de bouw van de nieuwe fabriek in Japan is voltooid, deze moet begin 2016 klaar zijn en de massaproductie moet eind 2016 op volle snelheid liggen. Tot die tijd moeten Toshiba en Sandisk zich enigszins behelpen.