Onderzoekers van Nasa hebben een methode ontwikkeld om onderdelen van geïntegreerde circuits te verbinden met koolstofbuisjes van enkele nanometers dik. De koolstofbuisjes moeten de nu nog gebruikte koperen verbindingsdraadjes vervangen. Koolstofbuisjes blijken beter bestand tegen hoge stroomsterktes dan koperen connectoren. De laatste zijn bovendien lang niet zo ver te verkleinen als koolstofbuisjes, omdat de weerstand van koperen draadjes veel sterker toeneemt dan die van koolstofbuisjes als de diameter ervan in het nanometerbereik komt. Gevolg daarvan is dat de componenten relatief ver van elkaar blijven liggen.
Chips waarbij verschillende processorlagen – zoals bij spekkoek – boven op elkaar worden gebouwd worden, worden bij toepassing van koperdraadjes bovendien relatief hoog, wat zijn grenzen stelt aan prestatieniveau en miniaturisatie.
De nu ontwikkelde methode bestaat uit het langs chemische weg opdampen van microscopisch kleine koolstofstructuren op een siliciumwafer. Deze worden afgedekt door een laag silicium, waarna het oppervlak gepolijst wordt. Eventueel omhoog stekende koolstofbuisjes die voor het verbinden met de volgende laag moeten zorgen, komen dan weer vrij, waarna het proces opnieuw uitgevoerd kan worden. Of, en zo ja wanneer, deze methode ook echt in productie wordt genomen, is nog niet bekend.
6 uur geleden
