Advanced Micro Devices heeft twee technieken ontwikkeld die de prestaties ten opzichte van bestaande processors met 30 procent doen toenemen. De technieken zijn geïntroduceerd op het VLSI Symposium in Kyoto, Japan, waar de leidende chipproducenten de jongste vindingen aan elkaar presenteren. De eerste verbetering die AMD heeft aangebracht is een verfijning van de Silicon on Insulator-techniek die IBM enige jaren terug ontwikkelde. Deze techniek vermindert de elektrische capaciteit. Omdat minder elektrische lading nodig is om de afzonderlijke transistors in de chip om te schakelen, kan de processor sneller werken. AMD’s ‘full depleted SOI-techniek’ (FDSOI) vermindert de benodigde lading nog sterker.
Daarnaast is AMD erin geslaagd nikkelsilicium-poorten te combineren met de zogeheten ‘strained silicon’-techniek. Dit oprekken van de siliciumlaag wordt bereikt door deze laag te plakken op een laag germaniumoxide. De siliciumatomen richten zich in dat geval naar de germaniumatomen. Omdat de laatste groter zijn dan de siliciumatomen, komen deze verder van elkaar te liggen dan gebruikelijk. Elektronen kunnen daardoor makkelijker door de siliciumlaag stromen dan anders het geval is. Nikkelsiliciumpoorten maken optimaal gebruik van de versnelling van de elektronenstroom; poorten van dit materiaal kunnen bij gelijke omvang namelijk een sterkere stroom verwerken dan bij toepassing van het nu gebruikte polysilicium mogelijk is.
33 minuten geleden
