Er is bekend gemaakt door de geheugendivisie van Samsung, dat ze 1GB fully bufferd (FB) DDR-2 geheugenmodules gaan produceren. Deze modules zullen een geheugen buffer chip krijgen, die een snelheid van 3.2Gbps tot 4.8Gbps kan genereren. Dat is zes keer de snelheid van het huidige DRAM.
Deze modules moeten voor een grote verbetering in bandbreedte van werkstations en server gaan zorgen. De huidige geheugenmodules vertonen een daling in de slot toegangssnelheid per kanaal, wanneer de geheugenbussnelheid verhoogd wordt. Volgens Samsung ontdoet FB DIMM zich van de kanaal bottleneck door het gebruik van point to point verbindingen. Hierdoor is het mogelijk dat meerdere geheugenmodules serieel met een kanaal verbinding kunnen maken.
Het is de bedoeling van Samsung om in de eerste helft van 2005 met de massaproductie van de FB DIMM´s te starten.
22 uur geleden
