2min

Tags in dit artikel

, ,

Tijdens de recente China Flash Memory Market Summit heeft Samsung voorspeld dat een enkele SSD-capaciteit 1 PB zou kunnen bereiken in de komende tien jaar. Dit komt nadat het bedrijf vorig jaar op de August Flash Memory Summit een prototype van een 128 TB SSD had getoond.

Het apparaat gebruikte QLC (4 bits/cel) NAND, had zoned namespaces en een PCIe/NVMe-interface. Maar de plannen van Samsung voor nog meer opslagcapaciteit houden daar niet op. Het bedrijf ontwikkelt 238 lagen 3D NAND-technologie, met ambities om uiteindelijk 1000 lagen te bereiken. Het wil ook PLC-technologie (Penta Level Cell – 5 bits/cel) invoeren, waardoor een SSD van 1.000 terabyte tegen 2030 werkelijkheid zou kunnen worden.

Lees ook: Samsung Exynos-chips hebben 18 zero-day kwetsbaarheden

Micron en Kioxia

Ondertussen onthulde Micron een krachtige PCIe 5.0 SSD met een geheugenbandbreedte die twee keer zo groot is als die van PCIe 4.0. VP Dinesh Bahal verklaarde dat de werkelijke prestaties nog sneller zouden zijn indien gecombineerd met nieuwe technologie voor applicatieversnelling.

Kioxia CTO Liu Maozhi besprak de gen 2 XL-Flash MLC-technologie van het bedrijf met een PCIe 5.0-interface. Hij benadrukte de functies Copy OFFLOAD en RAID OFFLOAD, die het pariteitscontroleproces vereenvoudigen zonder de CPU-bronnen van de host in beslag te nemen.

Dit suggereert dat Kioxia’s geheugen SSD meer zal zijn dan een passief apparaat.

Ten slotte introduceerde Solidigm ’s werelds eerste PLC NAND SSD-prototype. Hij betoogde dat de hogere dichtheid en lagere kosten van de PLC-technologie de basis zouden vormen voor een nieuwe ronde van HDD-vervangingen in de toekomst.

Deze ontwikkelingen van Samsung, Micron, Kioxia en Solidigm zullen zeker veel besproken worden op de August Flash Memory Summit in San Jose. Het is duidelijk dat de industrie de grenzen verlegt van wat mogelijk is met SSD’s, en het volgende decennium zou wel eens een aantal ongelooflijke doorbraken in opslagtechnologie kunnen zien.