Samsung laat het 30nm productieproces niet liggen, en voegt nog meer verbeteringen toe.

Dat samsung bezig was met MLC (multi level cell) NAND flash chips op het 30nm proces was al duidelijk. Maar nu schijnt het te gaan om 3-bit MLC chips. SLC’s kunnen 1-bit vasthouden, MLC 2-bit, en 3-bit MLC kan dus 3 bit vasthouden. Wat volgens samsung, de efficiëntie van dataopslag met 50% verbeterd, vergeleken met de huidige 2-bit MLC’s.

Met het nieuwe DDR MLC-NAND dubbele doorvoersnelheid kan worden bereikt, zonder het voltage te verhogen en-of stroomverbruik. Dit is naar verluid van Soo-in Cho, vice president en manager van de Memory devision bij Samsung Electronics.
Het voordeel van de 30nm geheugenchips is duidelijk, maar gaat ons zeker voordelen bieden in kleine apparaten zoals telefoons en MP3-speler via bijvoorbeeld MicroSD kaartjes. Het is in feite dat de opslag per mm2 verhoogd is. Samsung maakt het nu mogelijk op een 30nm gefabriceerde chip 32GB op te slaan. Dit gaat voordelen hebben, en specifiek in kleinere apparaten zoals MP3-spelers en telefoons, die kunnen meer opslag verwachten.


De nieuwe chips kunnen vooralsnog alleen voor pure dataopslag gebruikt worden. Wanneer Samsung 30nm RAM chips gaat fabriceren is nog niet duidelijk. Wat wel duidelijk is dat RAM veel complexer is dan NAND flash, dus dat zich nog even op zich kan laten wachten. Maar de eerste stap is er.