SK hynix introduceert de eerste 238-layer 512 GB TLC 4D NAND flash-chip ter wereld. Deze NAND-chip moet meer productiviteit, hogere datasnelheden en zuiniger energiebeheer opleveren.

De 238-layer 512 GB TLC 4D NAND Flash-chip is gefabriceerd met het 4D-productieproces van de storagespecialist. Dit proces zorgt ervoor dat de betreffende chips een kleiner cell-gebied per unit hebben in vergelijking met 3D-productietechnologie.

In het 4D-productieproces worden onder meer charge trap flash- en peri under cell-productietechnologie gebruikt. Uiteindelijk moet deze 4D-technologie efficiëntere productie opleveren.

Overige technologische voordelen

De nu uitgebrachte NAND Flash-chip is de kleinste NAND-chip die op dit moment beschikbaar is. Het betekent dat in het productieproces meer chips met een hogere dichtheid per unit-oppervlak op iedere wafer kunnen worden geproduceerd.

Verder levert het 238-layer product een hogere datatransfersnelheid op dan andere NAND-chips. De snelheid van de nu uitgebrachte chip wordt door SK hynix geklokt op 24 Gbps. Dit is 50 procent meer dan de vorige generatie van NAND Flash-chips. Ook de energieconsumptie voor data lezen is met 21 procent teruggebracht.

Geschikt voor SSD’s in pc’s

De 238-layer 512 Gb TLC 4D NAND Flash-chips zijn volgens de producent in eerste instantie geschikt voor client SSD’s die als opslagdevices in pc’s worden gebruikt. Op een later moment worden deze chips ook geschikt gemaakt voor storage in smartphones en voor SSD’s met hoge capaciteit voor servers in datacenters.

De productie van de 238-layer 512 GB TLC 4D NAND Flash-chips start begin 2023. Later dat jaar komen er ook 238-layer-producten met 1 TB beschikbaar die de dichtheid van de huidige 512 GB-versie verdubbelen.

Tip: SK hynix ontwikkelt storage device KV-CSD voor snelle analyses